随着军事工业产品的发展，对于微波产品要求小型化、高可靠性与稳定性的要求，微波产品传统结构已不能满足要求；国外在80年代开始发展薄膜技术、微组装技术以及相关的材料应用，使产品小型化完全能够实现，已在国内外进入大量工业应用阶段，其典型的产品结构如下：裸装芯片和薄膜电路、LTCC电路共晶焊在载板上，载板共晶焊在铝或铜盒体上，热匹配原因载板材料通常采用可瓦合金、钨铜合金、钼铜合金；

如果在DUT输出端加大衰减器后怎样使用矢量网络分析仪进行校准和测试，今天天华中威科技小编介绍一下测试方法。矢网测量PA S12 S22和功率的方法1、传统PA的矢网测量方法 DUT的大信号测量是至关重要的，尤其是S22（关系到与天线的匹配）和饱和功率（Psat，直接关系到发射功率）。在测试大功率PA时，由于一般PA输出功率小至几W，大到上百W，如果这么大的信号直接灌进矢网(矢网接收机线性区一般在10dbm左右，接收机最大输入功率30dBm)，会导致矢网接收机压缩甚至损坏，所以一般测量DUT增益或Psat的时候应在DUT的输出端连接一个较大的衰减器，再与矢网的测量端口相连。

介绍了某雷达系统中发射上变频器的设计思想及原理框图，并着重论述了混频器的设计及放大电路部分的几种设计方法。本发射上变频器组件是雷达系统中频率合成器的重要组成部分，它的性能的好坏直接影响到整机的指标。

​射频频谱监控变得越来越具有挑战性和复杂性。随着诸如毫米波5G，雷达等不断推向更高频段的应用以及正在传输的无线信号的分集和带宽不断增加，RF专业人员需要解决方案以跟上快速发展的无线格局。过去的射频测试和测量解决方案无法适应这种新的射频信号环境。随着新信号的不断出现，军事机构必须能够灵活地调整其系统，以适应新的作战需求，同时管理日益紧张的资源和预算。对于许多RF专业人员而言，升级其现有设备-甚至批发替换它们-是不切实际的选择。迫切需要更具创新性和成本效益的方法来应对这个新的RF世界的挑战。

随着社会经济的快速发展和科学技术水平的不断提升，射频电路抗高功率微波成为现代高科技对抗领域中的重要技术手段。天华中威科技小编整理本文以高功率微波前门注入损伤为例，结合接收机前门通道抗毁伤等方面相似的问题，并以此为基准就无源电路高功率应用，结合实践中的情况，提出参考意见。